Транзистор KSD261CGЦоколевка транзистора KSD261CGХарактеристики транзистора KSD261CG- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 20 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 40 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 0.5 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.5 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 200 до 400
- Корпус: TO-92
Классификация по hFEТранзисторы серии KSD261C делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор KSD261CY имеет коэффициент усиления в диапазоне от 120 до 240, KSD261CG - в диапазоне от 200 до 400. Комплементарная параКомплементарной парой для KSD261CG является транзистор KSA643CG c p-n-p структурой. АналогиТранзистор KSD261CG можно заменить на 2N3417, 2N3706, 2SC3332, 2SC3332-T, 2SC4408, 2SC4604, 2SC6043, 2SD1207, 2SD1207-T, 2SD1347, 2SD1347T, 2SD1616, 2SD1616-K, 2SD1616A, 2SD1616A-K, 2SD1616AK, 2SD1616K, 2SD438, 2SD789, KSC1008C, KSC1008CG, KSC1009C, KSC1009CG, KSD1616, KSD1616-G, KSD1616A, KSD1616A-G, KSD471AC, KSD471ACG, KTC1006, KTD1146, KTD1146Y, NTE192A
|