Транзистор MJ11014G

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 90 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 90 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 30 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 200 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 1000
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
• Корпус: TO-3

Комплементарной парой для MJ11014G является транзистор MJ11013G c p-n-p структурой.Транзистор MJ11014G можно заменить на MJ11014, MJ11016, MJ11016G, MJ11030, MJ11030G, MJ11032, MJ11032G