Транзистор STD01N-OЦоколевка транзистора STD01N-OХарактеристики транзистора STD01N-O- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 150 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 150 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 10 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 100 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 5000 до 12000
- Корпус: TO-3P-5
Классификация по hFEТранзисторы серии STD01N делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор STD01N-O имеет коэффициент усиления в диапазоне от 5000 до 12000, STD01N-Y - в диапазоне от 8000 до 20000. Комплементарная параКомплементарной парой для STD01N-O является транзистор STD01P-O c p-n-p структурой. АналогиТранзистор STD01N-O можно заменить на STD02N, STD02N-O, STD03N, STD03N-O
|