Транзистор IRF6678
Цоколевка транзистора IRF6678Характеристики транзистора IRF6678- Корпус - DIRECTFET MX
- Напряжение пробоя сток-исток 30 В
- Максимальное напряжение затвора 20 В
- Сопротивление в открытом состоянии 2.2 мОм
- Заряд затвора 43.0 нКл
- Термосопротивление 1.4 К/Вт
- Рассеиваемая мощность 89 Вт
|