Справочник радиолюбителя

Транзистор 2SB1155-Q

Цоколевка транзистора 2SB1155-Q

Цоколевка транзистора 2SB1155-Q (маркируется как B1155-Q)

Характеристики транзистора 2SB1155-Q

  • Структура - p-n-p
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: -130 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: -7 V
  • Ток коллектора, не более: -15 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 90 до 180
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 25 МГц
  • Корпус: TO-3PF

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB1155 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1155-Q имеет коэффициент усиления в диапазоне от 90 до 180, 2SB1155-P - в диапазоне от 130 до 260.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB1155-Q часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B1155-Q".

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB1155-Q является транзистор 2SD1706-Q c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB1155-Q можно заменить на 2SA1673, 2SA1673-Y, 2SB1156, 2SB1156-Q