Транзистор 2SD1706-QЦоколевка транзистора 2SD1706-QХарактеристики транзистора 2SD1706-Q- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 130 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V
- Ток коллектора, не более: 15 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 90 до 180
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 20 МГц
- Корпус: TO-3PF
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SD1706 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD1706-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SD1706-Q - в диапазоне от 90 до 180, 2SD1706-P - в диапазоне от 130 до 260. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SD1706-Q часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " D1706-Q". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SD1706-Q является транзистор 2SB1155-Q c p-n-p структурой. АналогиТранзистор 2SD1706-Q можно заменить на 2SC4388, 2SC4388-Y, 2SD1707, 2SD1707-Q
|