Транзистор 2SB1624-PЦоколевка транзистора 2SB1624-PХарактеристики транзистора 2SB1624-P- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -110 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -110 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -6 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 60 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 6500 до 20000
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
- Корпус: TO-3P
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SB1624 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1624-O имеет коэффициент усиления в диапазоне от 5000 до 12000, 2SB1624-P - в диапазоне от 6500 до 20000, 2SB1624-Y - в диапазоне от 15000 до 30000. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SB1624-P часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " B1624-P". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SB1624-P является транзистор 2SD2493-P c n-p-n структурой. АналогиТранзистор 2SB1624-P можно заменить на 2SA1106, 2SB1555, 2SB1556, 2SB1557, 2SB1558, 2SB1559, 2SB1559-P, 2SB1560, 2SB1560-P, BDV66C, BDV66D
|