Транзистор 2SB696-EЦоколевка транзистора 2SB696-EХарактеристики транзистора 2SB696-E- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -150 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
- Ток коллектора, не более: -8 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 200
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 15 МГц
- Корпус: TO-3
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SB696 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB696-C имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 80, 2SB696-D - в диапазоне от 60 до 120, 2SB696-E - в диапазоне от 100 до 200, 2SB696-F - в диапазоне от 160 до 320. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SB696-E часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " B696-E". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SB696-E является транзистор 2SD732-E c n-p-n структурой. АналогиТранзистор 2SB696-E можно заменить на 2SA1072A, 2SA1073, 2SA908, 2SA909, 2SB697, 2SB697-E, 2SB697K, 2SB697K-E, 2SB705A, 2SB705A-Q, 2SB705B, 2SB705B-Q, 2SB706, 2SB706-Q, 2SB706A, 2SB706A-Q, 2SB722, 2SB723, 2SB723-C
|