Транзистор 2SB708-R

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -7 V
• Ток коллектора, не более: -7 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 40 до 80
• Корпус: TO-220

Транзисторы серии 2SB708 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB708-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 80, 2SB708-O - в диапазоне от 60 до 120, 2SB708-Y - в диапазоне от 100 до 200.Обозначение на корпусе транзистора 2SB708-R часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B708-R".Комплементарной парой для 2SB708-R является транзистор 2SD569-M c n-p-n структурой.Транзистор 2SB708-R можно заменить на 2N6134, 2N6491, 2N6491G, 2SA1010, 2SA1010M, BD538, BD538K, BD710, BD712, BD744B, BD744C, BD800, BD802, BD810, BD910, BD912, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, KSA1010, KSA1010R, KSB708, KSB708-R, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G, MJF2955, MJF2955G