Транзистор 2SB764-EЦоколевка транзистора 2SB764-EХарактеристики транзистора 2SB764-E- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -1 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.9 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 200
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц
- Корпус: TO-92MOD
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SB764 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB764-D имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB764-E - в диапазоне от 100 до 200, 2SB764-F - в диапазоне от 160 до 320. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SB764-E часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " B764-E". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SB764-E является транзистор 2SD863-E c n-p-n структурой. АналогиТранзистор 2SB764-E можно заменить на 2SA1013, 2SA1013O, 2SA1275, 2SA1275-O, 2SA1283, 2SA1315, 2SA1534A, 2SA684, 2SA965, 2SB647, 2SB647A, 2SB647AC, 2SB647C, 2SB740, 2SB740-B, 2SB892, 2SB892-R, 2SB985, 2SB985R, KSA1013, KSA1013O, KTA1275, KTA1275O, KTA708, KTA708-Y, KTB764, KTB764-Y
|