Справочник радиолюбителя

Транзистор 2SB812-R

Цоколевка транзистора 2SB812-R

Цоколевка транзистора 2SB812-R (маркируется как B812-R)

Характеристики транзистора 2SB812-R

  • Структура - p-n-p
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
  • Ток коллектора, не более: -4 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 60 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 90
  • Корпус: TO-3P

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB812 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB812-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 90, 2SB812-Q - в диапазоне от 70 до 150, 2SB812-P - в диапазоне от 120 до 250.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB812-R часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B812-R".

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB812-R является транзистор 2SD1032-R c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB812-R можно заменить на 2SA1106, 2SA2223, 2SA2223A, 2SB695, 2SB763, 2SB763-R, 2SB812A, 2SB812A-R, BD246A, BD246B, BD246C, BD250A, BD250B, BD250C, BD746A, BD746B, BD746C, BDV92, BDV94, BDV96, NTE391, TIP36CA