Транзистор 2SD1289-PЦоколевка транзистора 2SD1289-PХарактеристики транзистора 2SD1289-P- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 120 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 120 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 8 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 160 до 320
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 60 МГц
- Корпус: TO-3P
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SD1289 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD1289-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SD1289-Q - в диапазоне от 100 до 200, 2SD1289-P - в диапазоне от 160 до 320. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SD1289-P часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " D1289-P". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SD1289-P является транзистор 2SB966-P c p-n-p структурой. АналогиТранзистор 2SD1289-P можно заменить на 2SC2555, 2SC2579, 2SC2580, 2SC2581, 2SC2625, 2SC3306, 2SC3320, 2SC3886, 2SC3886A, 2SD1313, MJH16006, MJH16008
|