Транзистор 2SD1289-QЦоколевка транзистора 2SD1289-QХарактеристики транзистора 2SD1289-Q- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 120 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 120 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 8 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 200
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 60 МГц
- Корпус: TO-3P
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SD1289 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD1289-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SD1289-Q - в диапазоне от 100 до 200, 2SD1289-P - в диапазоне от 160 до 320. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SD1289-Q часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " D1289-Q". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SD1289-Q является транзистор 2SB966-Q c p-n-p структурой. АналогиТранзистор 2SD1289-Q можно заменить на 2SC2555, 2SC2563, 2SC2579, 2SC2580, 2SC2581, 2SC2625, 2SC2706, 2SC3306, 2SC3320, 2SC3886, 2SC3886A, 2SD1046, 2SD1046-E, 2SD1047, 2SD1047-E, 2SD1313, 2SD1717, 2SD1717-P, 2SD1718, 2SD1718-P, 2SD2052, 2SD2052-P, 2SD2053, 2SD2053-P, KTD1047, KTD1047-Y, KTD1047B, KTD1047B-Y, MJH16006, MJH16008, MJL4281A, MJL4281AG
|