Транзистор 2SD1616UЦоколевка транзистора 2SD1616UХарактеристики транзистора 2SD1616U- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 60 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
- Ток коллектора, не более: 1 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.75 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 300 до 600
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 70 МГц
- Корпус: TO-92
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SD1616 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD1616L имеет коэффициент усиления в диапазоне от 135 до 270, 2SD1616K - в диапазоне от 200 до 400, 2SD1616U - в диапазоне от 300 до 600, 2SD1616-L - в диапазоне от 135 до 270, 2SD1616-K - в диапазоне от 200 до 400, 2SD1616-U - в диапазоне от 300 до 600. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SD1616U часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " D1616U". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SD1616U является транзистор 2SB1116U c p-n-p структурой. АналогиТранзистор 2SD1616U можно заменить на 2SD1616A-U, 2SD789, KSD1616, KSD1616-L
|