Транзистор 2SD1616KЦоколевка транзистора 2SD1616KХарактеристики транзистора 2SD1616K- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 60 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
- Ток коллектора, не более: 1 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.75 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 200 до 400
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 70 МГц
- Корпус: TO-92
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SD1616 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD1616L имеет коэффициент усиления в диапазоне от 135 до 270, 2SD1616K - в диапазоне от 200 до 400, 2SD1616U - в диапазоне от 300 до 600, 2SD1616-L - в диапазоне от 135 до 270, 2SD1616-K - в диапазоне от 200 до 400, 2SD1616-U - в диапазоне от 300 до 600. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SD1616K часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " D1616K". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SD1616K является транзистор 2SB1116K c p-n-p структурой. АналогиТранзистор 2SD1616K можно заменить на 2SC4408, 2SC4604, 2SC6043, 2SD1207, 2SD1207-T, 2SD1347, 2SD1347T, 2SD1616A, 2SD1616A-K, 2SD1616AK, 2SD789, KSD1616, KSD1616-G, KSD1616A, KSD1616A-G
|