Транзистор 2SD1669-RЦоколевка транзистора 2SD1669-RХарактеристики транзистора 2SD1669-R- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 60 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
- Ток коллектора, не более: 12 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 30 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 200
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 10 МГц
- Корпус: TO-220F
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SD1669 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD1669-Q имеет коэффициент усиления в диапазоне от 70 до 140, 2SD1669-R - в диапазоне от 100 до 200, 2SD1669-S - в диапазоне от 140 до 280. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SD1669-R часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " D1669-R". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SD1669-R является транзистор 2SB1136-R c p-n-p структурой. АналогиТранзистор 2SD1669-R можно заменить на 2SC3345, 2SC3346, 2SC3710A, 2SD1062, 2SD1062-R, BD545A, BD545B, BD545C, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F
|