Транзистор 2SD666-BЦоколевка транзистора 2SD666-BХарактеристики транзистора 2SD666-B- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 120 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 0.05 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.9 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 120
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 140 МГц
- Корпус: TO-92MOD
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SD666 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD666-B имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SD666-C - в диапазоне от 100 до 200, 2SD666-D - в диапазоне от 160 до 320. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SD666-B часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " D666-B". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SD666-B является транзистор 2SB646-B c p-n-p структурой. АналогиТранзистор 2SD666-B можно заменить на 2N6517C, 2SC1473, 2SC1473A, 2SC1473AQ, 2SC1473Q, 2SC1573, 2SC1573-Q, 2SC1573A, 2SC1573A-Q, 2SC1573B, 2SC1573B-Q, 2SC2271, 2SC2271-D, 2SC2383, 2SC2383R, 2SC2482, 2SC2551, 2SC2551-O, 2SC3228, 2SC3228-R, 2SC3467, 2SC3467-D, 2SC3468, 2SC3468-D, 2SC3941, 2SC3941-Q, 2SD666A, 2SD666A-B, 2SD667, 2SD667A, 2SD667AB, 2SD667B, 2SD668, 2SD668-B, 2SD668A, 2SD668A-B, HSD1609S, HSD1609S-B, KSC1009C, KSC1506, KSC2310, KSC2330, KSC2383, KSC2383R, KTC3228, KTC3228R
|