Транзистор 2SD745B-QЦоколевка транзистора 2SD745B-QХарактеристики транзистора 2SD745B-Q- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 160 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 10 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 120 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 200
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 15 МГц
- Корпус: TO-3
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SD745B делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD745B-S имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 80, 2SD745B-R - в диапазоне от 60 до 120, 2SD745B-Q - в диапазоне от 100 до 200. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SD745B-Q часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " D745B-Q". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SD745B-Q является транзистор 2SB705B-Q c p-n-p структурой. АналогиТранзистор 2SD745B-Q можно заменить на 2N6676, 2N6677, 2N6678, 2SC1586, 2SC2428, 2SC2523, 2SD733K, 2SD733K-E, 2SD746, 2SD746-Q, 2SD746A, 2SD746A-Q, 2SD753, 2SD753-C, BUX48, BUX48A, BUX80, BUX81, BUY691, BUY69B, BUY69C, BUY701, BUY70B, BUY70C, MJ10000, MJ10001, MJ12022, MJ8504, MJ8505
|