Транзистор BCP51-10

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -45 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -45 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1.5 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 63 до 160
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 125 МГц
• Корпус: SOT-223

Комплементарной парой для BCP51-10 является транзистор BCP54-10 c n-p-n структурой.Транзистор BCP51-10 можно заменить на BCP51, BCP52, BCP52-10, BCP53, BCP53-10, BDP952, BDP954, BDP956