Транзистор BD536JЦоколевка транзистора BD536JХарактеристики транзистора BD536J- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -8 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 50 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 30 до 75
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
- Корпус: TO-220
Классификация по hFEТранзисторы серии BD536 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор BD536J имеет коэффициент усиления в диапазоне от 30 до 75, BD536K - в диапазоне от 40 до 100. Комплементарная параКомплементарной парой для BD536J является транзистор BD535J c n-p-n структурой. АналогиТранзистор BD536J можно заменить на 2N6490, 2N6490G, 2N6491, 2N6491G, BD204, BD304, BD538J, BD708, BD710, BD712, BD744A, BD744B, BD744C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD908, BD910, BD912, BDT92, BDT92F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, MJE2901T, MJE2955T, MJE2955TG, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF2955, MJF2955G
|