Транзистор BD801

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 8 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 65 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 30
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
• Корпус: TO-220

Комплементарной парой для BD801 является транзистор BD802 c p-n-p структурой.Транзистор BD801 можно заменить на 2N6045, 2N6045G, 2N6531, 2N6532, 2N6533, 2SC2527, 2SC4107-N, 2SC4108-N, 2SC4162-N, 2SC4163-N, 2SC4164-N, BD543C, BD545C, BD649, BD651, BD901, BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW73C, BDW73D, BDW93C, BDW93CF, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX53E, BDX53F, FJP5200, FJP5200O, FJP5200R, FJPF5200, FJPF5200O, FJPF5200R, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJE15032, MJE15032G, MJE15034, MJE15034G, MJE5740, MJE5741, MJE5742, MJF15030, MJF15030G, MJF6388, MJF6388G, TIP102, TIP102G, TIP132, TIP132G, TIP142T, TIP160, TIP161, TIP162