Транзистор KSB1116S-LЦоколевка транзистора KSB1116S-LХарактеристики транзистора KSB1116S-L- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
- Ток коллектора, не более: -1 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.75 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 300 до 600
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 120 МГц
- Корпус: TO-92
Классификация по hFEТранзисторы серии KSB1116S делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор KSB1116S-Y имеет коэффициент усиления в диапазоне от 135 до 270, KSB1116S-G - в диапазоне от 200 до 400, KSB1116S-L - в диапазоне от 300 до 600. АналогиТранзистор KSB1116S-L можно заменить на 2SB1116, 2SB1116-U, 2SB1116A-U, 2SB1116U, KSB1116, KSB1116-L
|