Транзистор 2SB1016-O

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 30 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 70 до 140
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 5 МГц
• Корпус: TO-220F

Транзисторы серии 2SB1016 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1016-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 80, 2SB1016-O - в диапазоне от 70 до 140, 2SB1016-Y - в диапазоне от 120 до 240.Обозначение на корпусе транзистора 2SB1016-O часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B1016-O".Комплементарной парой для 2SB1016-O является транзистор 2SD1407-O c n-p-n структурой.Транзистор 2SB1016-O можно заменить на 2SA1010, 2SA1077, 2SB1016A, 2SB1016A-O, 2SB1367, 2SB1367-O, 2SB595, 2SB595-O, 2SB995, 2SB995-O, BD244C, BD540C, BD544C, BD546C, BD712, BD744C, BD802, BD912, BD954, BD956, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT96, BDT96F, FJP1943, FJPF1943, KSA1010, KTA1038, KTA1038-O, KTA1049, KTA1049O, KTB1367, KTB1367O, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE15033, MJE15033G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G