Транзистор 2SB1016-R

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 30 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 40 до 80
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 5 МГц
• Корпус: TO-220F

Транзисторы серии 2SB1016 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1016-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 80, 2SB1016-O - в диапазоне от 70 до 140, 2SB1016-Y - в диапазоне от 120 до 240.Обозначение на корпусе транзистора 2SB1016-R часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B1016-R".Комплементарной парой для 2SB1016-R является транзистор 2SD1407-R c n-p-n структурой.Транзистор 2SB1016-R можно заменить на 2SA1010, 2SA1010M, 2SB1367, 2SB1367-R, 2SB595, 2SB595-R, 2SB995, 2SB995-R, BD244C, BD540C, BD712, BD744C, BD802, BD912, BD954, BD956, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT96, BDT96F, KSA1010, KSA1010R, KTB1367, KTB1367R, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE5170, MJE5171, MJE5172, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G