Транзистор 2SB1016-YЦоколевка транзистора 2SB1016-YХарактеристики транзистора 2SB1016-Y- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -100 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -5 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 30 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 120 до 240
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 5 МГц
- Корпус: TO-220F
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SB1016 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1016-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 80, 2SB1016-O - в диапазоне от 70 до 140, 2SB1016-Y - в диапазоне от 120 до 240. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SB1016-Y часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " B1016-Y". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SB1016-Y является транзистор 2SD1407-Y c n-p-n структурой. АналогиТранзистор 2SB1016-Y можно заменить на 2SB1016A, 2SB1016A-Y, 2SB1367, 2SB1367-Y, 2SB595, 2SB595-Y, 2SB995, 2SB995-Y, BD244C, BD540C, BD544C, BD546C, BD802, BD954, BD956, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, KTA1038, KTA1038-Y, KTA1049, KTA1049Y, KTB1367, KTB1367Y, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE15033, MJE15033G, MJE15035, MJE15035G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G
|