Транзистор 2SB511Цоколевка транзистора 2SB511Характеристики транзистора 2SB511- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -35 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -35 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -1.5 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 320
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 8 МГц
- Корпус: TO-220
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SB511 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB511-C имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 80, 2SB511-D - в диапазоне от 60 до 120, 2SB511-E - в диапазоне от 100 до 200, 2SB511-F - в диапазоне от 160 до 320. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SB511 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " B511". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SB511 является транзистор 2SD325 c n-p-n структурой. АналогиТранзистор 2SB511 можно заменить на 2SA1262, 2SA1488, 2SA1488A, 2SA770, 2SA771, 2SB507, 2SB514, 2SB547, 2SB633, BD202, BD204, BD240, BD240A, BD240B, BD240C, BD242, BD242A, BD242B, BD242C, BD244, BD244A, BD244B, BD244C, BD302, BD304, BD534, BD536, BD538, BD540, BD540A, BD540B, BD540C, BD736, BD738, BD796, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD950, BD952, BD954, BD956, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C4, D44C5, D44C6, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C4, D45C5, D45C6, D45C7, D45C8, D45C9, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G
|