Транзистор 2SB761Цоколевка транзистора 2SB761Характеристики транзистора 2SB761- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -3 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 35 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 250
- Корпус: TO-220
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SB761 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB761-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 90, 2SB761-Q - в диапазоне от 70 до 150, 2SB761-P - в диапазоне от 120 до 250. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SB761 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " B761". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SB761 является транзистор 2SD856 c n-p-n структурой. АналогиТранзистор 2SB761 можно заменить на 2SA1262, 2SA1488, 2SA1488A, 2SA770, 2SA771, 2SB507, 2SB633, 2SB761A, 2SB762, 2SB762A, 2SB942, 2SB942A, BD204, BD242A, BD242B, BD242C, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD536, BD538, BD540A, BD540B, BD540C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD936, BD936F, BD938, BD938F, BD940, BD940F, BD942, BD942F, BD950, BD952, BD954, BD956, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C7, D45C8, D45C9, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G
|