Транзистор 2SB816-D

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -150 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
• Ток коллектора, не более: -8 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 60 до 120
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 15 МГц
• Корпус: TO-3P

Транзисторы серии 2SB816 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB816-D имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB816-E - в диапазоне от 100 до 200.Обозначение на корпусе транзистора 2SB816-D часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B816-D".Комплементарной парой для 2SB816-D является транзистор 2SD1046-D c n-p-n структурой.Транзистор 2SB816-D можно заменить на 2SA1186, 2SA1294, 2SA1301, 2SA1302, 2SA1303, 2SA1386, 2SA1386A, 2SA1386A-O, 2SA1386A-P, 2SA1386A-Y, 2SA1492, 2SA1516, 2SA1942, 2SA1943, 2SA1962, 2SA1986, 2SA2120, 2SA2121, 2SA2151, 2SA2151A, 2SA2151A-O, 2SA2151A-P, 2SA2151A-Y, 2SA2223, 2SA2223A, 2SB1162, 2SB1162-Q, 2SB1163, 2SB1163-Q, 2SB1361, 2SB1361-Q, 2SB1362, 2SB1362-Q, 2SB817, 2SB817-D, FJA4210, FJA4213, FJL4215, KTA1943, KTA1943A, KTA1962, KTA1962A, KTB817, KTB817-O, KTB817B, KTB817B-O, MAG9413, NTE2329