Транзистор 2SB816-E

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -150 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
• Ток коллектора, не более: -8 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 100 до 200
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 15 МГц
• Корпус: TO-3P

Транзисторы серии 2SB816 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB816-D имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB816-E - в диапазоне от 100 до 200.Обозначение на корпусе транзистора 2SB816-E часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B816-E".Комплементарной парой для 2SB816-E является транзистор 2SD1046-E c n-p-n структурой.Транзистор 2SB816-E можно заменить на 2SB1162, 2SB1162-P, 2SB1163, 2SB1163-P, 2SB1361, 2SB1361-P, 2SB1362, 2SB1362-P, 2SB817, 2SB817-E, KTB817, KTB817-Y, KTB817B, KTB817B-Y, MJL4302A, MJL4302AG