Транзистор 2SD1705-QЦоколевка транзистора 2SD1705-QХарактеристики транзистора 2SD1705-Q- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 130 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V
- Ток коллектора, не более: 10 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 70 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 90 до 180
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 20 МГц
- Корпус: TO-3PF
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SD1705 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD1705-Q имеет коэффициент усиления в диапазоне от 90 до 180, 2SD1705-P - в диапазоне от 130 до 260. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SD1705-Q часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " D1705-Q". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SD1705-Q является транзистор 2SB1154-Q c p-n-p структурой. АналогиТранзистор 2SD1705-Q можно заменить на 2SC4388, 2SC4388-Y, 2SC4886, 2SC4886-Y, 2SC5101, 2SC5101-Y, 2SD1706, 2SD1706-Q, 2SD1707, 2SD1707-Q, 2SD1716, FJAF4310, FJAF4310Y
|