Транзистор 2SD1717-P

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 160 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 12 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 120 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 100 до 200
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 20 МГц
• Корпус: TO-3P

Транзисторы серии 2SD1717 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD1717-Q имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SD1717-S - в диапазоне от 80 до 160, 2SD1717-P - в диапазоне от 100 до 200.Обозначение на корпусе транзистора 2SD1717-P часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "D1717-P".Комплементарной парой для 2SD1717-P является транзистор 2SB1162-P c p-n-p структурой.Транзистор 2SD1717-P можно заменить на 2SC3320, 2SD1313, 2SD1718, 2SD1718-P, MJL4281A, MJL4281AG