Транзистор 2SD855

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 30 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 40 до 250
• Корпус: TO-220

Транзисторы серии 2SD855 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD855-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 90, 2SD855-Q - в диапазоне от 70 до 150.Обозначение на корпусе транзистора 2SD855 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "D855".Комплементарной парой для 2SD855 является транзистор 2SB760 c p-n-p структурой.Транзистор 2SD855 можно заменить на 2SC1826, 2SC1985, 2SC1986, 2SC2075, 2SC2898, 2SC3179, 2SC3310, 2SC3794, 2SC3794A, 2SC3795, 2SC3795A, 2SC3851, 2SC3851A, 2SC3866, 2SC3868, 2SC4242, 2SC5241, 2SC5353, 2SD1267, 2SD1267A, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD313, 2SD401, 2SD402, 2SD613, 2SD772, 2SD772A, 2SD772B, 2SD792, 2SD792A, 2SD792B, 2SD823, 2SD856, 2SD856A, 2SD857, 2SD857A, BD203, BD239A, BD239B, BD239C, BD241A, BD241B, BD241C, BD243A, BD243B, BD243C, BD303, BD535, BD537, BD539A, BD539B, BD539C, BD539D, BD797, BD799, BD801, BD807, BD809, BD935, BD935F, BD937, BD937F, BD939, BD939F, BD941, BD941F, BD949, BD951, BD953, BD955, BDT29A, BDT29B, BDT29C, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDX77, BUX84, BUX85, MJE13070, MJE13071, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJE16002, MJE16004, MJE8502, MJE8503, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E, TIP42F