Транзистор BD809

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 10 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 90 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 30
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 2 МГц
• Корпус: TO-220

Комплементарной парой для BD809 является транзистор BD810 c p-n-p структурой.Транзистор BD809 можно заменить на 2N6388, 2N6388G, 2SC2527, 2SC3346, 2SC3346-O, 2SC3346-Y, 2SC3710A, 2SC3710A-O, 2SC3710A-Y, 2SC4107-N, 2SC4108-N, 2SC4162-N, 2SC4163-N, 2SC4164-N, BD545B, BD545C, BDT63A, BDT63B, BDT63C, BDT65A, BDT65B, BDT65C, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW93B, BDW93C, BDW93CF, BDX33B, BDX33BG, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, FJP5200, FJP5200O, FJP5200R, FJPF5200, FJPF5200O, FJPF5200R, MJF6388, MJF6388G, TIP142T, TIP160, TIP161, TIP162, TTC3710B