Транзистор BDX65BЦоколевка транзистора BDX65BХарактеристики транзистора BDX65B- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 100 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 12 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 117 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000
- Корпус: TO-3
Комплементарная параКомплементарной парой для BDX65B является транзистор BDX64B c p-n-p структурой. АналогиТранзистор BDX65B можно заменить на BDX65C, BDX67B, BDX67C, BDX69B, BDX69C, MJ11016, MJ11016G, MJ11032, MJ11032G, MJ4035
|