Справочник радиолюбителя

Транзистор BDX65B

Цоколевка транзистора BDX65B

Цоколевка транзистора BDX65B

Характеристики транзистора BDX65B

  • Структура - n-p-n
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: 100 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
  • Ток коллектора, не более: 12 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 117 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000
  • Корпус: TO-3

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BDX65B является транзистор BDX64B c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор BDX65B можно заменить на BDX65C, BDX67B, BDX67C, BDX69B, BDX69C, MJ11016, MJ11016G, MJ11032, MJ11032G, MJ4035