Транзистор MJ900

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -8 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 90 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 1000
• Корпус: TO-3

Комплементарной парой для MJ900 является транзистор MJ1000 c n-p-n структурой.Транзистор MJ900 можно заменить на 2N6649, 2N6650, BDX62, BDX62A, BDX62B, BDX62C, BDX64, BDX64A, BDX64B, BDX64C, BDX66, BDX66A, BDX66B, BDX66C, BDX68, BDX68A, BDX68B, BDX68C, MJ11011, MJ11011G, MJ11013, MJ11013G, MJ11015, MJ11015G, MJ11029, MJ11029G, MJ11031, MJ11031G, MJ11033, MJ11033G, MJ2500, MJ2501, MJ4030, MJ4031, MJ4032, MJ901, TIP605, TIP606, TIP607, TIP645, TIP646, TIP647