Транзистор MJ1000

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 8 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 90 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 1000
• Корпус: TO-3

Комплементарной парой для MJ1000 является транзистор MJ900 c p-n-p структурой.Транзистор MJ1000 можно заменить на 2N6384, 2N6385, BDX63, BDX63A, BDX63B, BDX63C, BDX65, BDX65A, BDX65B, BDX65C, BDX67, BDX67A, BDX67B, BDX67C, BDX69, BDX69A, BDX69B, BDX69C, MJ1001, MJ11012, MJ11012G, MJ11014, MJ11014G, MJ11016, MJ11016G, MJ11028, MJ11028G, MJ11030, MJ11030G, MJ11032, MJ11032G, MJ3000, MJ3001, MJ4033, MJ4034, MJ4035, TIP600, TIP601, TIP602, TIP640, TIP641, TIP642