Транзистор HSB1109-DЦоколевка транзистора HSB1109-DХарактеристики транзистора HSB1109-D- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -160 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -160 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -0.1 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1.25 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 160 до 320
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 140 МГц
- Корпус: TO-126
Классификация по hFEТранзисторы серии HSB1109 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор HSB1109-B имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, HSB1109-C - в диапазоне от 100 до 200, HSB1109-D - в диапазоне от 160 до 320. Комплементарная параКомплементарной парой для HSB1109-D является транзистор HSD1609-D c n-p-n структурой. АналогиТранзистор HSB1109-D можно заменить на 2SA1142, 2SA1142P, 2SA1209, 2SA1210, 2SA1220A, 2SA1220A-P, 2SA1248, 2SA1249, 2SA1352, 2SA1352-F, 2SA1353, 2SA1353-F, 2SA1380, 2SA1380-F, 2SA1381, 2SA1381-F, 2SA1406, 2SA1406-F, 2SA1407, 2SA1407-F, 2SA795A, 2SB1109, 2SB1109-D, 2SB1110, 2SB1110-D, KSA1142, KSA1142Y, KSA1220A, KSA1220A-P, KSA1220A-Y, KSA1381, KSA1381-F
|