Транзистор BD537JЦоколевка транзистора BD537JХарактеристики транзистора BD537J- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 80 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 8 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 50 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 30 до 75
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
- Корпус: TO-220
Классификация по hFEТранзисторы серии BD537 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор BD537J имеет коэффициент усиления в диапазоне от 30 до 75, BD537K - в диапазоне от 40 до 100. Комплементарная параКомплементарной парой для BD537J является транзистор BD538J c p-n-p структурой. АналогиТранзистор BD537J можно заменить на 2N6100, 2N6101, 2N6488, 2N6488G, 2SC2898, BD709, BD711, BD743B, BD743C, BD799, BD801, BD809, BD909, BD911, BDT93, BDT93F, BDT95, BDT95F, BDX77, MJF3055, MJF3055G
|