Транзистор MJ1001

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 8 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 90 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 1000
• Корпус: TO-3

Комплементарной парой для MJ1001 является транзистор MJ901 c p-n-p структурой.Транзистор MJ1001 можно заменить на 2N6385, BDX63A, BDX63B, BDX63C, BDX65A, BDX65B, BDX65C, BDX67A, BDX67B, BDX67C, BDX69A, BDX69B, BDX69C, MJ11014, MJ11014G, MJ11016, MJ11016G, MJ11030, MJ11030G, MJ11032, MJ11032G, MJ3001, MJ4034, MJ4035, TIP601, TIP602, TIP641, TIP642